封装:
80(1)
62MM-1(1)
AG-ECONO3-4(2)
TO-247-3(58)
MODULE(6)
TO-263-3(13)
IHM-190(1)
BG-PB60-1(1)
AG-62MM-2(5)
-(1)
EconoPACK 2A(1)
TO-263-2(1)
TO-247(3)
SmartPIM-1(1)
AG-ECONO2-6(6)
EASY-1(1)
62MM(2)
Screw(3)
(11)
sawn on foil(1)
ECONO-4(1)
ECONOPP-1(2)
AG-EASY1B-2(4)
D2PAK-263(1)
AG-34MM-1(4)
AG-IHVB190-3(1)
TO-220-3(16)
EASY1B(1)
AG-62MM-1(11)
MDIP-24-1(1)
IHM(1)
A-IHM190-1(1)
3(1)
AG-HYBRID2-1(2)
PG-MSIP-20-1(1)
IHV-130(1)
AG-ECONOD-3(1)
AG-PRIME2-1(4)
AG-ECONO4-1(3)
62MM-2(1)
AG-IHMB190-2(4)
POWIRR 62 Module(1)
TO-252-3(5)
ECONO2-2(1)
AG-ECONOD-5(1)
AG-ECONO2-4(1)
AG-ECONOPP-2(1)
AG-EASY2B-2(1)
AG-EASY2B-3(1)
64(1)
AG-EASY1B-1(2)
TO-252(1)
POWIR ECO 2? Module(1)
A-IHM130-1(1)
ECONO2-6(1)
AG-ECONO3-3(1)
A-IHV190-6(1)
34MM-1(1)
IHM-130(1)
AG-PRIME3-1(2)
TO-274-3(1)
AG-IHMB130-1(1)
多选
包装:
Tray(50)
Box(12)
Tube(71)
Tape & Reel (TR)(15)
(45)
Tube, Rail(1)
Bulk(14)
多选
型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
  • 封装: TO-263-3
    品类: IGBT晶体管
    描述: INFINEON IKB10N60T 单晶体管, IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263, 3 引脚
    6023
    10+
    11.3760
    100+
    10.8072
    500+
    10.4280
    1000+
    10.4090
    2000+
    10.3332
    5000+
    10.2384
    7500+
    10.1626
    10000+
    10.1246
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: INFINEON IRG7PH35UD1-EP 晶体管, IGBT, 1200V, 50A
    5439
    5+
    25.3656
    50+
    24.2816
    200+
    23.6746
    500+
    23.5228
    1000+
    23.3710
    2500+
    23.1976
    5000+
    23.0892
    7500+
    22.9808
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: INFINEON IRG4PH50KPBF 单晶体管, IGBT, 45 A, 3.28 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
    6981
    5+
    6.7365
    25+
    6.2375
    50+
    5.8882
    100+
    5.7385
    500+
    5.6387
    2500+
    5.5140
    5000+
    5.4641
    10000+
    5.3892
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT 超过 21A,Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT ### IGBT 晶体管,International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
    3945
    1+
    39.3084
    10+
    37.0530
    100+
    35.3776
    250+
    35.1198
    500+
    34.8620
    1000+
    34.5721
    2500+
    34.3143
    5000+
    34.1532
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 55A 210000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
    3601
    5+
    22.8384
    50+
    21.8624
    200+
    21.3158
    500+
    21.1792
    1000+
    21.0426
    2500+
    20.8864
    5000+
    20.7888
    7500+
    20.6912
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT 晶体管 1200V UltraFast Discrete IGBT
    5731
    1+
    43.3832
    10+
    40.8940
    100+
    39.0449
    250+
    38.7604
    500+
    38.4759
    1000+
    38.1559
    2500+
    37.8714
    5000+
    37.6936
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: INFINEON IRG7PH35UD-EP 单晶体管, IGBT, N通道, 50 A, 2.3 V, 180 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚 新
    2695
    5+
    11.7468
    50+
    11.2448
    200+
    10.9637
    500+
    10.8934
    1000+
    10.8231
    2500+
    10.7428
    5000+
    10.6926
    7500+
    10.6424
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: INFINEON IRG4PC60UPBF 单晶体管, IGBT, 75 A, 600 V, 520 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
    5131
    5+
    4.0230
    25+
    3.7250
    50+
    3.5164
    100+
    3.4270
    500+
    3.3674
    2500+
    3.2929
    5000+
    3.2631
    10000+
    3.2184
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT 超过 21A,Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT ### IGBT 晶体管,International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
    1551
    5+
    32.3505
    50+
    30.9680
    200+
    30.1938
    500+
    30.0003
    1000+
    29.8067
    2500+
    29.5855
    5000+
    29.4473
    7500+
    29.3090
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: Co-Pack IGBT 超过 21A,Infineon Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。 IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
    2763
    5+
    30.9699
    50+
    29.6464
    200+
    28.9052
    500+
    28.7200
    1000+
    28.5347
    2500+
    28.3229
    5000+
    28.1906
    7500+
    28.0582
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: Co-Pack IGBT 超过 21A,Infineon Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。 IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
    4938
    1+
    69.6325
    10+
    66.6050
    100+
    66.0601
    250+
    65.6362
    500+
    64.9702
    1000+
    64.6674
    2500+
    64.2436
    5000+
    63.8803
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: Co-Pack IGBT 超过 21A,Infineon Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。 IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
    5286
    5+
    21.7269
    50+
    20.7984
    200+
    20.2784
    500+
    20.1485
    1000+
    20.0185
    2500+
    19.8699
    5000+
    19.7771
    7500+
    19.6842
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: Co-Pack IGBT 超过 21A,Infineon Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。 IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
    1492
    1+
    37.7712
    10+
    35.6040
    100+
    33.9941
    250+
    33.7464
    500+
    33.4987
    1000+
    33.2201
    2500+
    32.9724
    5000+
    32.8176
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT 超过 21A,Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT ### IGBT 晶体管,International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
    1048
    5+
    27.3195
    50+
    26.1520
    200+
    25.4982
    500+
    25.3348
    1000+
    25.1713
    2500+
    24.9845
    5000+
    24.8678
    7500+
    24.7510
  • 封装: TO-220-3
    品类: IGBT晶体管
    描述: INFINEON IKP20N60T 单晶体管, IGBT, 通用, 40 A, 2.05 V, 166 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
    3575
    10+
    11.1480
    100+
    10.5906
    500+
    10.2190
    1000+
    10.2004
    2000+
    10.1261
    5000+
    10.0332
    7500+
    9.9589
    10000+
    9.9217
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: Infineon F3L200R07PE4BOSA1 N通道 IGBT 模块, 串行, 200 A, Vce=650 V, 20引脚 ECONO4封装
    3665
    1+
    1094.1834
    10+
    1055.7910
    50+
    1050.9920
    100+
    1046.1929
    150+
    1038.5144
    250+
    1031.7958
    500+
    1025.0771
    1000+
    1017.3986
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: Infineon F475R12KS4B11BOSA1 N通道 IGBT 模块, 双半桥, 100 A, Vce=1200 V, 24引脚 ECONO2封装
    6987
    1+
    907.3830
    10+
    875.5450
    50+
    871.5653
    100+
    867.5855
    150+
    861.2179
    250+
    855.6463
    500+
    850.0746
    1000+
    843.7070
  • 封装: AG-IHMB130-1
    品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT -模块 IGBT-Module
    7028
    1+
    7700.0330
    10+
    7630.0327
    25+
    7595.0326
    50+
    7560.0324
    100+
    7525.0323
    150+
    7490.0321
    250+
    7455.0320
    500+
    7420.0318
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT 超过 21A,Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT ### IGBT 晶体管,International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
    8681
    10+
    9.5280
    100+
    9.0516
    500+
    8.7340
    1000+
    8.7181
    2000+
    8.6546
    5000+
    8.5752
    7500+
    8.5117
    10000+
    8.4799
  • 封装: AG-PRIME3-1
    品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
    9856
    1+
    4580.2350
    10+
    4538.5965
    25+
    4517.7773
    50+
    4496.9580
    100+
    4476.1388
    150+
    4455.3195
    250+
    4434.5003
    500+
    4413.6810
  • 封装: AG-IHMB190-2
    品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT - Wechselrichter / IGBT逆变器Höchstzulässige Werte /最大额定值 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values
    9360
  • 封装: AG-PRIME3-1
    品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
    5879
    1+
    5858.3360
    10+
    5805.0784
    25+
    5778.4496
    50+
    5751.8208
    100+
    5725.1920
    150+
    5698.5632
    250+
    5671.9344
    500+
    5645.3056
  • 封装: AG-IHMB190-2
    品类: IGBT晶体管
    描述: IHM -B模块,软交换沟槽IGBT4 IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4
    5626
    1+
    9302.1500
    10+
    9217.5850
    25+
    9175.3025
    50+
    9133.0200
    100+
    9090.7375
    150+
    9048.4550
    250+
    9006.1725
    500+
    8963.8900
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT Modules N-CH 1.7kV 1.95kA
    4582
    1+
    7677.9010
    10+
    7608.1019
    25+
    7573.2024
    50+
    7538.3028
    100+
    7503.4033
    150+
    7468.5037
    250+
    7433.6042
    500+
    7398.7046
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 3Pin(3+Tab) TO-247AC
    5125
    1+
    37.1246
    10+
    34.9945
    100+
    33.4121
    250+
    33.1687
    500+
    32.9253
    1000+
    32.6514
    2500+
    32.4080
    5000+
    32.2558
  • 封装: TO-247-3
    品类: IGBT晶体管
    描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin(3+Tab) TO-247AC
    8219
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: INFINEON IRG4PC40UDPBF 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.4 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
    9581
    1+
    632.0844
    10+
    609.9060
    50+
    607.1337
    100+
    604.3614
    150+
    599.9257
    250+
    596.0445
    500+
    592.1633
    1000+
    587.7276
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: INFINEON IRG4PF50WDPBF 单晶体管, IGBT, 51 A, 2.25 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚
    7212
    1+
    634.4442
    10+
    612.1830
    50+
    609.4004
    100+
    606.6177
    150+
    602.1655
    250+
    598.2698
    500+
    594.3740
    1000+
    589.9218
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
    1463
    5+
    12.0744
    50+
    11.5584
    200+
    11.2694
    500+
    11.1972
    1000+
    11.1250
    2500+
    11.0424
    5000+
    10.9908
    7500+
    10.9392

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